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任世强

发布时间:2025-03-27     

任世强

邮箱:rsqyx@foxmail.com

 

 

 

教学科研简介

教育经历: 大连理工大学, 材料学, 博士教学上,讲授《口腔材料学》和《数字化义齿设计与加工》两门本科生课程,前者通过理论、实验与案例分析培养学生对口腔材料的认知和应用能力,后者传授数字化义齿设计与加工的前沿技术以提升学生数字化思维与实践操作技能。

科研方面,主要研究方向为数字化模拟计算,通过数值模拟分析口腔材料及义齿制造过程;材料加工与制备,探索新型口腔材料的加工技术;。主持过聊城大学博士启动基金项目研究磁场调控硅中杂质传质机制(在研),以及完成第 65 批中国博士后科学基金面上资助项目研究气泡弹性碰撞对硅固液界面及杂质传质的影响。

讲授课程

  • 本科生课程《口腔材料学》《数字化义齿设计与加工》

主要研究方向

  • 数字化模拟计算
  • 材料加工与制备
  • 凝固原理研究

代表性科研项目

  •  聊城大学, 聊城大学博士启动基金项目, 318051844, 磁场调控下硅中杂质的两界界面传质机制研 究, 2018-10 2023-10, 8万元, 在研, 主持
  • 中国博士后科学基金会, 65批中国博士后科学基金面上资助二等资助, 2019M652353, 气泡弹性碰撞 调控硅固液界面结构及强化杂质传质机制, 2020-01 2020-12, 15万元, 结题,

代表性论文

  • Pengting Li; Lian Dong; Zhiqiang Hu; Shiqiang Ren Shiqiang Ren; Yi Tan; Dachuan Jiang; Xiaogang You ; Recycling of silicon scraps by electron beam melting coupled with directional solidification and its mechanism of impurity removal, Journal of Cleaner Production, 2022, 355: 131716 (期刊论 期刊论 文) 
  • Yang Yue; Ren Shiqiang Ren Shiqiang; Jiang Dachuan; Hu Zhiqiang; Tan Yi; Li Pengting ; Migration behavior and aggregation mechanism of SiC particles in silicon melt during directional solidification process, CHINA FOUNDRY, 2021, 18(6): 405-411   )
  •  任世强 (期刊论文 期刊论文) ( 本人标注: 作者署名 任世强; 胡志强; 李鹏廷; 赵性川; 姜大川; 马帅 ; 电子束诱导定向凝固过程中晶体形貌对杂质分布 的影响, 有色金属(冶炼部分), 2021, 0(06): 90-94 (期刊论文 期刊论文)  
  • 王孟磊; ; 姜大川; 谭毅; 李鹏廷任世强温度梯度对多晶硅感应熔炼除杂效果    , , , : 797-802. 的影响太阳能学报2019 40(3)  
  •  Tan, Yi; Jiang, Dachuan; Li, Pengting; Li, Jiayan Ren, Shiqiang * Effe ct of temperature gradient on the diffusion layer thickness of impurities , during directional solidification process MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR    , , : 102-108. PROCESSING 2017 74  
  •  Li, Pengting; Jiang, Dachuan; Tan, Yi; Li, Jiayan; Ren, Shiqiang ; Zhang, Lei Removal of metal impurities by controlling columnar grain growth , , , during directional solidification process APPLIED THERMAL ENGINEERING 2016 1    : 875-880. 06  
  • Qiu Shi; ; Huang Liuqing; Tang Tianyu; Fang Ming; Luo Ren Shiqiang ; Xuetao* Influence of different vacuum conditions on the distribution of , , , : insoluble inclusions in a multi-crystalline silicon ingot Vacuum 2016 128    66-72.